為實現脫碳社會，功率半導體市場不斷擴大。本公司於2004年推出Si-IGBT用雷射退火設備，於2014年將SiC用雷射退火設備投入市場，目前已交付100餘台。
解決方案
雷射退火
功率半導體製造工序中不可或缺的技術——SiC用雷射退火設備的光源選擇
顧客的課題
- 追求晶圓薄片化、生產性的光源選擇
- SiC功率設備薄型化後光源（綠光/UV）引起的熱損傷
- SiC功率設備的熱損傷與生產性之間的平衡
已解決之問題、可實現之功能
- 藉由模擬進行照射條件的事前研究
- 利用照射測試驗證模擬結果，提出最佳條件
- SiC用雷射退火設備中的光源選擇要點
下一代功率半導體SiC的製造工序中不可或缺的 雷射退火
本公司備有兩種機型：SWA-20US、SWA-90GD
近年來，被稱為下一代功率半導體的SiC備受關注。與Si相比，SiC的帶隙約3倍，絕緣破壞電場強度高達約10倍，在設備性能上具有優勢，但材料成本、過程成本高，一般用於電鐵、送電設備等。 與此同時，受各國強化廢氣排放管制的影響，電動汽車（EV、PHEV、HEV）、EV充電站等民生項目也得到迅速發展。這是由於企業積極擴大SiC的口徑、提高產量、改善過程效率，在各種努力之下成本有望下降至民生用品的要求。
本公司備有兩种機型的SiC用雷射退火設備——採用了第3諧波雷射（UV）作為雷射光源的SWA-20US和使用第2諧波雷射（綠光）的SWA-90GD。
應用：矽化物退火
對SiC的退火被用於背面電極的矽化物化（合金化）。
*參考：在Si-IGBT中，廣泛用於背面注入雜質的活性化用途。
選擇雷射光源時的要點
①SIC設備的厚度
與UV雷射相比，綠光雷射的金屬吸收率低，在退火條件下要以更高的能量密度進行照射。
②雷射進入SiC的長度
向SiC晶圓照射雷射時，根據波長不同，進入長度會有差異。使用綠光時，雷射會穿透到表面（圖案層）。包括成膜工序中金屬膜（Ni/Ti）產生缺陷時會破壞圖案的風險。
③金屬膜（Ni）的吸收率
金屬膜的吸收率因雷射波長而異。
追求相同退火結果時，低反射率（=高吸收率）需要的能量投入較少。
相反，能量投入大時，就容易對設備產生熱影響。
④生產性
根據設備構造和金屬成膜條件不同，照射條件也有所不同，但一般情況下，綠光雷射的生產性比UV雷射高2.5～3倍。
最後，選擇SiC用雷射退火設備的光源時
需要對設備構造進行慎重選擇。本公司會實施模擬和測試，根據結果提出最合適的退火設備方案。歡迎垂詢。
關於雷射退火的咨詢，請點擊這裡
光源的推薦標準
- 對追求設備薄型化（薄片化）的顧客推薦搭載UV雷射光源
- 對重視生產性的顧客推薦搭載綠光雷射光源
下載 產品手冊 （雷射退火裝置） 相關的PDF
下載