レーザアニーリング装置

SWA "UV"
Laser series

次世代パワーデバイス用レーザアニール装置
適用例) SiCオーミック・コンタクト生成、活性化など

非照射面の温度上昇を抑えつつ、メタル-SiC界面を高温に加熱し、OPTSWING※(独自の高速スキャン方式)でオーミック・コンタクトの生成を実現します。

Tophat Beam Mode

特長

OPTSWING採用による高速スキャン

ビームを走査させる方式で高スループットを実現。

8インチウェハに対応

小片から8インチまでのウェハの処理が可能。

トップハットビーム

優れた面内均一性を確保。

シミュレーション技術

温度シミュレーションによるアニール条件の最適化が可能。

プロセス雰囲気制御
各種モニタリング機能(ビーム形状など)

Ti Cross Section SEM Image
Temperature Simulation

仕様

モデル / Model SWA-20US
ウェハサイズ / Wafer Size〜φ200mm (8in)
レーザ / LaserUV-YAG Laser10W
ビームサイズ / Beam SizeFWHMφ100um
プロセス雰囲気 / Process AtmosphereN2 / Air
プロセス温度 / Process TemperatureRoom Temperature
ウェハ搬送 / Wafer HandingAutomatic


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