製品情報

SWA “UV” Laser series

レーザアニーリング装置
次世代パワーデバイス用レーザアニール装置
適用例) SiCオーミック・コンタクト生成、活性化など

非照射面の温度上昇を抑えつつ、メタル-SiC界面を高温に加熱し、OPTSWING※(独自の高速スキャン方式)でオーミック・コンタクトの生成を実現します。
Tophat Beam Mode

特長

OPTSWING採用による高速スキャン

ビームを走査させる方式で高スループットを実現。

8インチウェハに対応

小片から8インチまでのウェハの処理が可能。

トップハットビーム

優れた面内均一性を確保。

シミュレーション技術

温度シミュレーションによるアニール条件の最適化が可能。

プロセス雰囲気制御 各種モニタリング機能(ビーム形状など)

Ti Cross Section SEM Image
Temperature Simulation

仕様

モデル / Model SWA-20US
ウェハサイズ / Wafer Size 〜φ200mm (8in)
レーザ / Laser UV-YAG Laser 10W
ビームサイズ / Beam Size FWHM φ100um
プロセス雰囲気 / Process Atmosphere N2 / Air
プロセス温度 / Process Temperature Room Temperature
ウェハ搬送 / Wafer Handing Automatic