レーザアニーリング装置

SWA "Green/Hybrid"
Laser series

深い活性化とダブルパルスプロセスにも対応した、高性能レーザアニール装置
適用例) IGBT裏面活性化

独自のダブルパルスプロセスを可能にした固体レーザと長波長レーザを搭載したハイブリットアニール装置です。 固体レーザの特徴である、高繰り返し高パルスエネルギ安定性、メンテナンスフリー、コンパクト設計を備え、半導体分野の次世代プロセスの開発を促進します。

特長

深い活性化

7μmまでの活性化が可能。

高いパルスエネルギ安定性

エネルギーフィードバック機能搭載。面内均一性σ<=1%%を達成。

ダブルパルス制御によりさらに深さ方向の温度分布と時間をコントロール

温度制約下でもアニールプロセスの最適化が可能。

メンテナンスフリーの固体レーザ採用で高稼働率での生産が可能

ガスレーザと比較し、大幅なランニングコストの削減が可能。

コンパクトなレーザ発振器

装置設置エリアの省スペース化が可能。

70μmtの薄ウェハ搬送

Deep Activation (max. 7μm)
Uniformity σ<=1%

仕様

モデル / Model SWA-20GD SWA-20GDA SWA-90GD SWA-90GDA SWA-93GD SWA-93GDA
ウェハサイズ / Wafer Size〜φ200mm (8in)-
φ300mm (12in)-
レーザ / LaserDPSS 20Wx220mJ@1kHz20mJ@1kHz----
DPSS 75Wx2--25mJ@3kHz25mJ@3kHz25mJ@3kHz25mJ@3kHz
QCWL 500W-80mJ@3kHz-80mJ@3kHz-80mJ@3kHz
ビームサイズ / Beam SizeWidth (FWHM)0.25mm0.3mm0.3mm
Length (FWHM)2.5mm
プロセス雰囲気 / Process AtmosphereN2 / Air
プロセス温度 / Process TemperatureRoom Temperature
ウェハ搬送 / Wafer HandingAutomatic  >70umt


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